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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
5,535.6
18.5
写入速度,GB/s
1,852.4
13.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
3341
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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INTENSO M418039 8GB
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Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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