RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3341
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link