RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3341
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link