RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
33
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3341
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link