RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
71
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
46
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
11.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2481
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link