RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
71
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
46
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2481
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link