RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
46
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2660
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link