RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
94
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
94
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
1334
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link