RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
94
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
94
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
1334
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMP16GX3M2A1333C9 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link