RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
51
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
51
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2687
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link