RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
51
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
51
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1982
2687
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link