RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
57
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
31
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3861
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link