RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2216
2046
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link