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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Confronto
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2216
2046
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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