Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    13.9 left arrow 12.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.2 left arrow 6.9
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 43
    Около -48% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.9 left arrow 12.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 6.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2216 left arrow 2046
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения