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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2216
2046
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Frequency (Mhz) *
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