RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1870
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link