RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2909
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link