Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

总分
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    11.5 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    31 left arrow 34
    左右 -10% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.2 left arrow 15.4
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    34 left arrow 31
  • 读取速度,GB/s
    15.4 left arrow 16.2
  • 写入速度,GB/s
    11.5 left arrow 11.2
  • 内存带宽,mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2763 left arrow 2897
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较