Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Puntuación global
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.5 left arrow 11.2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 34
    En -10% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.2 left arrow 15.4
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    34 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.4 left arrow 16.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.5 left arrow 11.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2763 left arrow 2897
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones