RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
75
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
3283
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link