RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
75
Rund um -317% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
16.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
3536
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link