RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
75
Около -317% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3536
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSA8GX3M1A1333C9 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link