RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2925
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link