RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
77
Rund um -221% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2925
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link