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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
35
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2301
3150
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
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SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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Kingston 9965589-035.D00G 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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