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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2925
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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