RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link