RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link