RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2427
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link