RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de -32% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
25
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2427
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link