Kingston HP698651-154-MCN 8GB против G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Причины выбрать
Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 26

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.9 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 6.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 24
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 17.9
Скорость записи, Гб/сек

6.4 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2003 3346

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

модули RAM

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Kingston 9905703-009.A00G 16GB

Kingston 9905703-009.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

модули RAM