RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link