RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link