RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
75
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
2803
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link