RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
75
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
2595
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link