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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
2825
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