Confronto tra le RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

36 38

Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.8 14.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.6 11.8

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2497 2825

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns