RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
47
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2324
2875
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link