RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
42
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2095
2427
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link