RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3510
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link