RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2095
3260
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link