RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
42
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2095
2960
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link