Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    48 left arrow 56
    Rund um 14% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,169.5 left arrow 1,819.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 5300
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    48 left arrow 56
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,392.2 left arrow 4,680.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,819.6 left arrow 2,169.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    542 left arrow 779
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