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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
56
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,169.5
1,819.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
48
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,392.2
4,680.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,819.6
2,169.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
6400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
779
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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