Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    48 left arrow 56
    周辺 14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,169.5 left arrow 1,819.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    4,392.2 left arrow 4,680.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,819.6 left arrow 2,169.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    542 left arrow 779
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