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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
48
56
周辺 14% 低遅延
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,169.5
1,819.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
5300
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
56
読み出し速度、GB/s
4,392.2
4,680.1
書き込み速度、GB/秒
1,819.6
2,169.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
6400
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
779
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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