RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
56
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,169.5
1,819.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
48
56
Скорость чтения, Гб/сек
4,392.2
4,680.1
Скорость записи, Гб/сек
1,819.6
2,169.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
6400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB Сравнения RAM
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link