RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
56
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,169.5
1,819.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
48
56
Prędkość odczytu, GB/s
4,392.2
4,680.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,819.6
2,169.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
6400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link