RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
55
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2232
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link