RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2732
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link