RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
43
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2732
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link