Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    44 left arrow 56
    Wokół strony 21% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    6 left arrow 4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,169.5 left arrow 1,892.9
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    44 left arrow 56
  • Prędkość odczytu, GB/s
    6,181.5 left arrow 4,680.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,892.9 left arrow 2,169.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    851 left arrow 779
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania