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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Confronto
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
56
Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,169.5
1,892.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
44
56
Velocità di lettura, GB/s
6,181.5
4,680.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,892.9
2,169.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
851
779
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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