Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Punteggio complessivo
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    44 left arrow 56
    Intorno 21% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    6 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,169.5 left arrow 1,892.9
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    44 left arrow 56
  • Velocità di lettura, GB/s
    6,181.5 left arrow 4,680.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,892.9 left arrow 2,169.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    851 left arrow 779
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